igbt模塊功能介紹

日期：2025-07-01 23:39

瀏覽次數(shù)：610

摘要： igbt模塊功能介紹 IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。 IGBT(igbt模塊) 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線(xiàn)。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。 IGBT(igbt模塊) 的轉(zhuǎn)...

igbt模塊功能介紹
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。

IGBT(igbt模塊) 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線(xiàn)。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。

IGBT(igbt模塊) 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線(xiàn)。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開(kāi)啟電壓Ugs(th) 時(shí)，IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)， Id 與Ugs呈線(xiàn)性關(guān)系。

尊敬的客戶(hù)：

本公司還有英飛凌igbt、英飛凌模塊、三菱igbt等產(chǎn)品，您可以通過(guò)網(wǎng)頁(yè)撥打本公司的服務(wù)電話(huà)了解更多產(chǎn)品的詳細(xì)信息，至善至美的服務(wù)是我們的追求，歡迎新老客戶(hù)放心選購(gòu)自己心儀產(chǎn)品，我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)！

下一篇：英飛凌igbt模塊的測(cè)量操作
上一篇： igbt功率模塊發(fā)展前景如何

京公網(wǎng)安備 11010502035422號(hào)